主板测试卡代码(主板测试卡代码全集)

一般来说，代码:FF、00、C0、D0、CF、F1或者什么都没有都表示CPU出现故障。

CCCDDDDB0、AE1表示内存不过剩。

22200A、0B、2A、2B和31表示显卡不是

有些集成显卡主板2225表示可以正常点亮，有些VIA芯片组显示器13表示可以点亮，有些品牌机显示器0B表示可以正常点亮，有些主板显示器4E表示可以正常点亮，有些英特尔芯片组显示器26或16表示可以正常点亮。

C1，C6，C3，01，02，循环跳跃的组合，大多是坏的I/O或BIOS。

如果显示05，ED，41，直接刷BIOS 00。系统配置已显示；也就是说，控制INI19被引导。。

01处理器测试1，处理器状态验证，如果测试失败，循环无限。处理器的测试即将开始，非屏蔽中断即将被禁用。CPU测试正在进行或失败。

02确定诊断类型(正常或制造)。如果键盘缓冲区包含数据，它将是无效的。禁用非屏蔽中断；从拖延开始。CMOS写入/读取正在进行或失败。

03清除8042键盘控制器并发出TESTKBRD命令(AAH)。开机延迟已完成。BIOS检查组件正在运行或出现故障。

04重置8042键盘控制器并验证TESTKBRD。键盘控制器软复位/开机测试。可编程间隔计时器的测试正在进行或出现故障。

05如果连续重复制造测试1至5，可获得8042控制状态。确定软复位/上电；ROM将很快启动。DMA初始准备正在进行或失败。

06做好电路芯片的初始准备，禁用视频、奇偶和DMA电路芯片，清除DMA电路芯片、所有页寄存器和CMOS停止字节。已启动ROM来计算ROM BIOS校验和，并检查键盘缓冲区是否被清除。初始DMA页面寄存器读/写测试正在进行或失败。

07处理器测试2验证CPU寄存器的操作。BIOS校验和正常，键盘缓冲区已经清空，BAT(基本保证测试)命令发送到键盘。。

08使CMOS定时器进行初始准备，并正常更新定时器周期。BAT命令已经下到键盘了，马上就要写了。RAM更新检查正在进行中或出现故障。

09 EPROM检查总和，在通过之前必须等于零。验证键盘的基本保证测试，然后验证键盘命令字节。第一个64K内存测试正在进行中。

为视频接口做初步准备。发布键盘命令字节码，即写命令字节数据。第一个64K RAM芯片或数据线出现故障并移位。

测试8254通道0。写入键盘控制器命令字节，即23号和24号管脚的锁定/解锁命令将被发出。第一个64K RAM奇/偶逻辑失败。

测试0c8254通道1。键盘控制器引脚224被锁定/解锁；NOP命令已发出。第一个64K RAN的地址线出现故障。

0d。检查CPU速度是否与系统时钟匹配。检查控制芯片的编程值是否符合初始设置。视频通道测试。如果失败，按喇叭。NOP命令已被处理；然后测试CMOS停止寄存器。第一个64K RAM的奇偶校验失败

测试CMOS停止字节。CMOS停止寄存器读/写测试:将计算CMOS校验和。初始化I/O端口地址。

0F测试扩展CMOS。将计算的CMOS校验和写入诊断字节；CMOS开始初始准备。。

10测试DMA通道0。CMOS已初步准备好，CMOS状态寄存器将初步准备好日期和时间。第一个64K RAM的位0出现故障。

1测试DMA通道1。CMOS状态寄存器已初步准备好，DMA和中断控制器将被禁用。第一个64DK RAM的第一位出现故障。

12测试DMA页面寄存器。停用DMA控制器1以及中断控制器1和2；也就是说，视频显示器和端口B是初始准备的。第一个64DK RAM的第2位出现故障。

1测试8741键盘控制器接口。视频显示已停用，端口B已初步准备好；即开始电路芯片的初始化/存储器的自动检测。第一个64DK RAM的第3位出现故障。

14测试存储器更新触发电路。存储器中芯片初始化/自动检测结束；854定时器测试即将开始。第一个64DK RAM的第4位出现故障。

15一开始测试64K的系统内存。第二信道定时器被半测试；854通道2计时器即将完成测试。第一个64DK RAM的第5位出现故障。

6建立8259使用的中断向量表。通道2定时器测试结束；854通道1计时器即将完成测试。第一个64DK RAM的第6位出现故障。

17调整视频输入/输出，如果安装了视频BIOS，则启用它。通道1定时器测试结束；854通道0计时器即将完成测试。第一个64DK RAM的第7位出现故障。

18测试显存。如果安装了可选的视频BIOS，可以绕过它。通道0定时器测试结束；更新内存即将开始。第一个64DK RAM的第8位出现故障。

19测试通道1的中断控制器(8259)屏蔽位。存储器的更新已经开始，然后存储器的更新将完成。第一个64DK RAM的第9位出现故障。

1A测试通道2的中断控制器(8259)屏蔽位。触发内存更新线，即将检查15微秒的开/关时间。第一个64DK RAM的第10位出现故障。

1B测试CMOS电池水平。完成内存更新时间30微秒测试；基本的64K内存测试即将开始。第一个64DK RAM的第11位出现故障。

1C测试CMOS校验和。第一个64DK RAM的第12位出现故障。

1D设置CMOS配置。第一个64DK RAM的第13位出现故障。

1E测量系统内存的大小，并与CMOS值进行比较。第一个64DK RAM的第14位出现故障。

测试1F 64K内存最高640K。第一个64DK RAM的第15位出现故障。

20测量固定的8259中断位。开始基本的64K内存测试；将测试地址线。从属DMA寄存器测试正在进行或失败。

21保持非屏蔽中断(NMI)位(输入/输出通道的奇偶校验或检查)。通过地址线测试；即将引发平价。主DMA寄存器测试正在进行或失败。

2测试8259的中断功能。结束奇偶校验；将开始串行数据读/写测试。主中断屏蔽寄存器测试正在进行或失败。

23测试保护模式8086虚拟模式和8086页面模式。基本64K串行数据读写测试正常；中断向量初始化开始前的任何调整。从机中断屏蔽存储器测试正在进行或失败。

24测量1MB

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