想必现在有很多小伙伴对于多晶硅生产工艺流程如下： （1）粗硅粉碎的目的是 增大接触面积，加快反应速率，充分反应 增大接触面积，加快反应速率，充分反应 ．分离SiHCl 3 （l）和SiCl 4 （l）的方法为 蒸馏 蒸馏 ． （2）900℃以上，H 2 与SiHCl 3 发生如下反应：SiHCl 3 （g）+H 2 （g）?Si（s）+3HCl（g）；△H＞0，其平衡常数表达式为K= c3(HCl) c(SiHCl)×c(H2) c3(HCl) c(SiHCl)×c(H2) ．为提高还原时SiHCl 3 的转化率，可采取的措施有 升高温度或增大氢气与SiHCl3的物质的量之比或增大氢气浓度 升高温度或增大氢气与SiHCl3的物质的量之比或增大氢气浓度 ． （3）该流程中可以循环使用的物质是 HCl、H 2 HCl、H 2 ． （4）SiCl 4 与上述流程中的单质发生化合反应，可以制得SiHCl 3 ，其化学方程式为 3SiCl 4 +Si+2H 2 ═4SiHCl 3 3SiCl 4 +Si+2H 2 ═4SiHCl 3 ．","title_text":"多晶硅生产工艺流程如下： （1）粗硅粉碎的目的是 增大接触面积，加快反应速率，充分反应 增大接触面积，加快反应速率，充分反应 ．分离SiHCl 3 （l）和SiCl 4 （l）的方法为 蒸馏 蒸馏 ． （2）900℃以上，H 2 与SiHCl 3 发生如下反应：SiHCl 3 （g）+H 2 （g）?Si（s）+3HCl（g）；△H＞0，其平衡常数表达式为K= c3(HCl) c(SiHCl)×c(H2) c3(HCl) c(SiHCl)×c(H2) ．为提高还原时SiHCl 3 的转化率，可采取的措施有 升高温度或增大氢气与SiHCl3的物质的量之比或增大氢气浓度 升高温度或增大氢气与SiHCl3的物质的量之比或增大氢气浓度 ． （3）该流程中可以循环使用的物质是 HCl、H 2 HCl、H 2 ． （4）SiCl 4 与上述流程中的单质发生化合反应，可以制得SiHCl 3 ，其化学方程式为 3SiCl 4 +Si+2H 2 ═4SiHCl 3 3SiCl 4 +Si+2H 2 ═4SiHCl 3 ．方面的知识都比较想要了解，那么今天小好小编就为大家收集了一些关于多晶硅生产工艺流程如下： （1）粗硅粉碎的目的是 增大接触面积，加快反应速率，充分反应 增大接触面积，加快反应速率，充分反应 ．分离SiHCl 3 （l）和SiCl 4 （l）的方法为 蒸馏 蒸馏 ． （2）900℃以上，H 2 与SiHCl 3 发生如下反应：SiHCl 3 （g）+H 2 （g）?Si（s）+3HCl（g）；△H＞0，其平衡常数表达式为K= c3(HCl) c(SiHCl)×c(H2) c3(HCl) c(SiHCl)×c(H2) ．为提高还原时SiHCl 3 的转化率，可采取的措施有 升高温度或增大氢气与SiHCl3的物质的量之比或增大氢气浓度 升高温度或增大氢气与SiHCl3的物质的量之比或增大氢气浓度 ． （3）该流程中可以循环使用的物质是 HCl、H 2 HCl、H 2 ． （4）SiCl 4 与上述流程中的单质发生化合反应，可以制得SiHCl 3 ，其化学方程式为 3SiCl 4 +Si+2H 2 ═4SiHCl 3 3SiCl 4 +Si+2H 2 ═4SiHCl 3 ．","title_text":"多晶硅生产工艺流程如下： （1）粗硅粉碎的目的是 增大接触面积，加快反应速率，充分反应 增大接触面积，加快反应速率，充分反应 ．分离SiHCl 3 （l）和SiCl 4 （l）的方法为 蒸馏 蒸馏 ． （2）900℃以上，H 2 与SiHCl 3 发生如下反应：SiHCl 3 （g）+H 2 （g）?Si（s）+3HCl（g）；△H＞0，其平衡常数表达式为K= c3(HCl) c(SiHCl)×c(H2) c3(HCl) c(SiHCl)×c(H2) ．为提高还原时SiHCl 3 的转化率，可采取的措施有 升高温度或增大氢气与SiHCl3的物质的量之比或增大氢气浓度 升高温度或增大氢气与SiHCl3的物质的量之比或增大氢气浓度 ． （3）该流程中可以循环使用的物质是 HCl、H 2 HCl、H 2 ． （4）SiCl 4 与上述流程中的单质发生化合反应，可以制得SiHCl 3 ，其化学方程式为 3SiCl 4 +Si+2H 2 ═4SiHCl 3 3SiCl 4 +Si+2H 2 ═4SiHCl 3 ．方面的知识分享给大家，希望大家会喜欢哦。分析：（1）根据固体表面积越大，化学反应速率越快；根据互溶的液体采用蒸馏的方法分离；
（2）根据平衡常数的概念；根据外界条件对平衡的影响；
（3）根据化学根据反应物中和生成物中都有的物质考虑；
（4）根据题目信息以及原子守恒来书写；